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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › TK11P65W,RQ
TK11P65W,RQ

TK11P65W,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
TK11P65W,RQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TK11P65W,RQ PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
5000 pcs
参考価格
USD 0.8732/pcs
私達の価格
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TK11P65W,RQ 詳細な説明

品番 TK11P65W,RQ
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11.1A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 450µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 25nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 890pF @ 300V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 100W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 440 mOhm @ 5.5A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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