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TK10A80E,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TK10A80E,S4X
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N-CH 800V TO220SIS
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TK10A80E,S4X PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 130 pcs
参考価格: USD 2.66/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TK10A80E,S4X 詳細な説明

品番	TK10A80E,S4X
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	800V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	10A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	46nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2000pF @ 25V
Vgs（最大）	±30V
FET機能	-
消費電力（最大）	50W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1 Ohm @ 5A, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220SIS
パッケージ/ケース	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
重量	-
原産国	-

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