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TK100E06N1,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TK100E06N1,S1X
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N CH 60V 100A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TK100E06N1,S1X PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 392 pcs
参考価格: USD 2.75/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TK100E06N1,S1X 詳細な説明

品番	TK100E06N1,S1X
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	100A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	140nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	10500pF @ 30V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	255W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	2.3 mOhm @ 50A, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

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