TK10A60E,S5X - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	TK10A60E,S5X
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	40nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1300pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	45W (Tc)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220SIS
パッケージ/ケース	TO-220-3 Full Pack
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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