SSM6K361NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	SSM6K361NU,LF
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	69 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 100µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	3.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	430pF @ 15V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.5W (Ta)
動作温度	150°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	6-UDFNB (2x2)
パッケージ/ケース	6-WDFN Exposed Pad
重量	-
原産国	-

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