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SSM3J35MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: SSM3J35MFV,L3F
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SSM3J35MFV,L3F PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 40000 pcs
参考価格: USD 0.0374/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SSM3J35MFV,L3F 詳細な説明

品番	SSM3J35MFV,L3F
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	100mA (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	-
Vgs（th）（Max）@ Id	-
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	-
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	12.2pF @ 3V
Vgs（最大）	-
FET機能	-
消費電力（最大）	150mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	8 Ohm @ 50mA, 4V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	VESM
パッケージ/ケース	SOT-723
重量	-
原産国	-

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