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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SSM3J358R,LF
SSM3J358R,LF

SSM3J358R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
SSM3J358R,LF
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SSM3J358R,LF PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
263661 pcs
参考価格
USD 0.099/pcs
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SSM3J358R,LF 詳細な説明

品番 SSM3J358R,LF
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 1.8V, 8V
Vgs（th）（Max）@ Id 1V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 38.5nC @ 8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1331pF @ 10V
Vgs（最大） ±10V
FET機能 -
消費電力（最大） 1W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 22.1 mOhm @ 6A, 8V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ -
パッケージ/ケース -
重量 -
原産国 -

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