SSM3J358R,LF

SSM3J358R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
SSM3J358R,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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255126 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.099/pcs
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SSM3J358R,LF Description détaillée

Numéro d'article SSM3J358R,LF
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 38.5nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1331pF @ 10V
Vgs (Max) ±10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.1 mOhm @ 6A, 8V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur -
Paquet / cas -
Poids -
Pays d'origine -

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