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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス › RN2112ACT(TPL3)
RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
RN2112ACT(TPL3)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
RN2112ACT(TPL3) PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
25000 pcs
参考価格
USD 0.0521/pcs
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RN2112ACT(TPL3) 詳細な説明

品番 RN2112ACT(TPL3)
部品ステータス Active
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 80mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 50V
抵抗器 - ベース（R1）（オーム） 22k
抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） -
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 150mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 100nA (ICBO)
周波数 - 遷移 -
電力 - 最大 100mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SC-101, SOT-883
サプライヤデバイスパッケージ CST3
重量 -
原産国 -

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