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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › RN2112ACT(TPL3)
RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
RN2112ACT(TPL3)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
RN2112ACT(TPL3) Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
25000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0521/pcs
Il nostro prezzo
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RN2112ACT(TPL3) Descrizione dettagliata

Numero di parte RN2112ACT(TPL3)
Stato parte Active
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 100mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-101, SOT-883
Pacchetto dispositivo fornitore CST3
Peso -
Paese d'origine -

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