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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › ダイオード - 整流器 - シングル › BAS316,H3F
BAS316,H3F

BAS316,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
BAS316,H3F
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
BAS316,H3F PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
ダイオード - 整流器 - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
5380732 pcs
参考価格
USD 0.0306/pcs
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BAS316,H3F 詳細な説明

品番 BAS316,H3F
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Standard
電圧 - DC逆（Vr）（最大） 100V
電流 - 平均整流（Io） 250mA
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If 1.25V @ 150mA
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） 3ns
電流 - 逆リーク（Vr） 200nA @ 80V
容量Vr、F 0.35pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SC-76, SOD-323
サプライヤデバイスパッケージ USC
動作温度 - ジャンクション 150°C (Max)
重量 -
原産国 -

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