BAS316,H3F

BAS316,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
BAS316,H3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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BAS316,H3F PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
5380732 pcs
Referenzpreis
USD 0.0306/pcs
Unser Preis
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BAS316,H3F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BAS316,H3F
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 250mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 3ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 200nA @ 80V
Kapazität @ Vr, F 0.35pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-76, SOD-323
Lieferantengerätepaket USC
Betriebstemperatur - Kreuzung 150°C (Max)
Gewicht -
Ursprungsland -

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