品番 | TH58NVG2S3HBAI4 |
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部品ステータス | Active |
メモリの種類 | Non-Volatile |
メモリフォーマット | FLASH |
技術 | FLASH - NAND (SLC) |
メモリー容量 | 4Gb (512M x 8) |
クロック周波数 | - |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 25ns |
アクセス時間 | - |
メモリインターフェイス | Parallel |
電圧 - 供給 | 2.7V ~ 3.6V |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 63-BGA |
サプライヤデバイスパッケージ | 63-BGA (9x11) |
重量 | - |
原産国 | - |