TH58NVG2S3HBAI4

TH58NVG2S3HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

Número de pieza
TH58NVG2S3HBAI4
Fabricante
Toshiba Memory America, Inc.
Breve descripción
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
TH58NVG2S3HBAI4 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Memoria
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
28737 pcs
Precio de referencia
USD 6.37/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para TH58NVG2S3HBAI4

TH58NVG2S3HBAI4 Descripción detallada

Número de pieza TH58NVG2S3HBAI4
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 25ns
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 63-BGA
Paquete de dispositivo del proveedor 63-BGA (9x11)
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA TH58NVG2S3HBAI4