TSM260P02CX6 RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

品番	TSM260P02CX6 RFG
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	6.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	26 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	19.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）	±10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1670pF @ 15V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.56W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-26
パッケージ/ケース	SOT-23-6
重量	-
原産国	-