TSM260P02CX6 RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	TSM260P02CX6 RFG
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	19.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1670pF @ 15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.56W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-26
Paquet / cas	SOT-23-6
Poids	-
Pays d'origine	-