STO36N60M6 - STMicroelectronics

品番	STO36N60M6
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	99 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4.75V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	44.3nC @ 10V
Vgs（最大）	±25V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1960pF @ 100V
FET機能	-
消費電力（最大）	230W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TOLL (HV)
パッケージ/ケース	8-PowerSFN
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
	STO33N60M6	STMicroelectronics	N-CHANNEL 600 V 105 MOHM TYP.	詳細
	STO36N60M6	STMicroelectronics	N-CHANNEL 600 V 0.85 OHM TYP.	詳細