STO36N60M6 - STMicroelectronics

Artikelnummer	STO36N60M6
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	44.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1960pF @ 100V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	230W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TOLL (HV)
Paket / Fall	8-PowerSFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	STO33N60M6	STMicroelectronics	N-CHANNEL 600 V 105 MOHM TYP.	Einzelheiten
	STO36N60M6	STMicroelectronics	N-CHANNEL 600 V 0.85 OHM TYP.	Einzelheiten