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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - シングル › STGB30H60DFB
STGB30H60DFB

STGB30H60DFB - STMicroelectronics

品番
STGB30H60DFB
メーカー
STMicroelectronics
簡単な説明
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
STGB30H60DFB PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
21108 pcs
参考価格
USD 1.276/pcs
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STGB30H60DFB 詳細な説明

品番 STGB30H60DFB
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 600V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 60A
電流 - コレクタパルス（Icm） 120A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2V @ 15V, 30A
電力 - 最大 260W
スイッチングエネルギー 383µJ (on), 293µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 149nC
Td（オン/オフ）@ 25℃ 37ns/146ns
テスト条件 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） 53ns
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
重量 -
原産国 -

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