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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › STGB30H60DFB
STGB30H60DFB

STGB30H60DFB - STMicroelectronics

Numéro d'article
STGB30H60DFB
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
STGB30H60DFB Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
21122 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.276/pcs
Notre prix
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STGB30H60DFB Description détaillée

Numéro d'article STGB30H60DFB
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Puissance - Max 260W
Échange d'énergie 383µJ (on), 293µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 149nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 37ns/146ns
Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 53ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur D2PAK
Poids -
Pays d'origine -

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