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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › STD100N10F7
STD100N10F7

STD100N10F7 - STMicroelectronics

品番
STD100N10F7
メーカー
STMicroelectronics
簡単な説明
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
STD100N10F7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
24202 pcs
参考価格
USD 1.1197/pcs
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STD100N10F7 詳細な説明

品番 STD100N10F7
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 61nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4369pF @ 50V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 120W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 8 mOhm @ 40A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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