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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › STD100N10F7
STD100N10F7

STD100N10F7 - STMicroelectronics

Numéro d'article
STD100N10F7
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
STD100N10F7 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
22740 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.1197/pcs
Notre prix
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STD100N10F7 Description détaillée

Numéro d'article STD100N10F7
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4369pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 40A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DPAK
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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