STB37N60DM2AG

STB37N60DM2AG - STMicroelectronics

品番
STB37N60DM2AG
メーカー
STMicroelectronics
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 28A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
7500 pcs
参考価格
USD 2.6781/pcs
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STB37N60DM2AG 詳細な説明

品番 STB37N60DM2AG
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 28A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 54nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2400pF @ 100V
Vgs(最大) ±25V
FET機能 -
消費電力(最大) 210W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 110 mOhm @ 14A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

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