STB37N60DM2AG

STB37N60DM2AG - STMicroelectronics

Numero di parte
STB37N60DM2AG
fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 28A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 2.6781/pcs
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STB37N60DM2AG Descrizione dettagliata

Numero di parte STB37N60DM2AG
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 100V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 14A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
Paese d'origine -

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