品番 | US6J11TR |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 12V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.3A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 290pF @ 6V |
電力 - 最大 | 320mW |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
サプライヤデバイスパッケージ | UMT6 |
重量 | - |
原産国 | - |