US6J11TR

US6J11TR - Rohm Semiconductor

Numero di parte
US6J11TR
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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124158 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2051/pcs
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US6J11TR Descrizione dettagliata

Numero di parte US6J11TR
Stato parte Active
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 6V
Potenza - Max 320mW
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore UMT6
Peso -
Paese d'origine -

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