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RGT8NS65DGTL - Rohm Semiconductor

品番: RGT8NS65DGTL
メーカー: Rohm Semiconductor
簡単な説明: IGBT 650V 8A 65W TO-263S
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: RGT8NS65DGTL PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - IGBT - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 50252 pcs
参考価格: USD 0.534/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

RGT8NS65DGTL 詳細な説明

品番	RGT8NS65DGTL
部品ステータス	Active
IGBTタイプ	Trench Field Stop
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	650V
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	8A
電流 - コレクタパルス（Icm）	12A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic	2.1V @ 15V, 4A
電力 - 最大	65W
スイッチングエネルギー	-
入力方式	Standard
ゲートチャージ	13.5nC
Td（オン/オフ）@ 25℃	17ns/69ns
テスト条件	400V, 4A, 50 Ohm, 15V
逆回復時間（trr）	40ns
動作温度	-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤデバイスパッケージ	LPDS (TO-263S)
重量	-
原産国	-

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