RGT8NS65DGTL - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	RGT8NS65DGTL
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	8A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 4A
Puissance - Max	65W
Échange d'énergie	-
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	13.5nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	17ns/69ns
Condition de test	400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	40ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur	LPDS (TO-263S)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
RGT80TS65DGC11	Rohm Semiconductor	IGBT 650V 70A 234W TO-247N	Détails
RGT8BM65DTL	Rohm Semiconductor	IGBT 650V 8A 62W TO-252	Détails
RGT8NS65DGTL	Rohm Semiconductor	IGBT 650V 8A 65W TO-263S	Détails