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HP8S36TB - Rohm Semiconductor

品番: HP8S36TB
メーカー: Rohm Semiconductor
簡単な説明: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: HP8S36TB PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 50896 pcs
参考価格: USD 0.5354/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

HP8S36TB 詳細な説明

品番	HP8S36TB
部品ステータス	Active
FETタイプ	2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能	-
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	27A, 80A
Rds On（Max）@ Id、Vgs	2.4 mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	47nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	6100pF @ 15V
電力 - 最大	29W
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
サプライヤデバイスパッケージ	8-HSOP
重量	-
原産国	-

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