HP8S36TB detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
HP8S36TB |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Eigenschaft |
- |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
27A, 80A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
2.4 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
47nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
6100pF @ 15V |
Leistung max |
29W |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
8-PowerTDFN |
Lieferantengerätepaket |
8-HSOP |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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