品番 | EMB11FHAT2R |
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部品ステータス | Active |
トランジスタタイプ | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
電流 - コレクタ(Ic)(最大) | 100mA |
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) | - |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce飽和(最大)@Ib、Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
電流 - コレクタ遮断(最大) | - |
周波数 - 遷移 | 250MHz |
電力 - 最大 | 150mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
サプライヤデバイスパッケージ | EMT6 |
重量 | - |
原産国 | - |