| Numéro d'article | EMB11FHAT2R |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | - |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | - |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Puissance - Max | 150mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-563, SOT-666 |
| Package de périphérique fournisseur | EMT6 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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