BD6563FV-LBE2 - Rohm Semiconductor

品番	BD6563FV-LBE2
部品ステータス	Obsolete
駆動構成	Low-Side
チャネルタイプ	Independent
ドライバ数	3
ゲートタイプ	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電圧 - 供給	10 V ~ 25 V
ロジック電圧 - VIL、VIH	-
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）	600mA, 600mA
入力方式	Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）	-
立ち上がり/立ち下がり時間（Typ）	-
動作温度	-25°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ	16-SSOPB
重量	-
原産国	-

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	BD6562FV-LBE2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET 2CH 16SSOP	詳細
	BD6563FV-LBE2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET 3CH 16SSOP	詳細