BD6563FV-LBE2 - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	BD6563FV-LBE2
Teilstatus	Obsolete
Angetriebene Konfiguration	Low-Side
Kanaltyp	Independent
Anzahl der Treiber	3
Tortyp	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung	10 V ~ 25 V
Logikspannung - VIL, VIH	-
Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke)	600mA, 600mA
Eingabetyp	Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap)	-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)	-
Betriebstemperatur	-25°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket	16-SSOPB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	BD6562FV-LBE2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET 2CH 16SSOP	Einzelheiten
	BD6563FV-LBE2	Rohm Semiconductor	IC DVR IGBT/MOSFET 3CH 16SSOP	Einzelheiten