| 品番 | RJK2009DPM-00#T0 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 72nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2900pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 60W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 36 mOhm @ 20A, 10V |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PFM |
| パッケージ/ケース | TO-3PFM, SC-93-3 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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RJK2006DPE-00#J3 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK | 詳細 |
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RJK2009DPM-00#T0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM | 詳細 |
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RJK2009DPM-01SE | RENESAS | RJK2009DPM-01SE RENESAS SMD or Through Hole New Original Stocks | 詳細 |
