RJK2009DPM-00#T0 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
RJK2009DPM-00#T0 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
40A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
72nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
2900pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±30V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
60W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
36 mOhm @ 20A, 10V |
Betriebstemperatur |
- |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
TO-3PFM |
Paket / Fall |
TO-3PFM, SC-93-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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