品番 | N0412N-S19-AY |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | - |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 100nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5550pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.5W (Ta), 119W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 3.7 mOhm @ 50A, 10V |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
重量 | - |
原産国 | - |