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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › HAT2287WP-EL-E
HAT2287WP-EL-E

HAT2287WP-EL-E - Renesas Electronics America

品番
HAT2287WP-EL-E
メーカー
Renesas Electronics America
簡単な説明
MOSFET N-CH WPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
HAT2287WP-EL-E PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4264 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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HAT2287WP-EL-E 詳細な説明

品番 HAT2287WP-EL-E
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 17A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id -
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 26nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1200pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 30W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 94 mOhm @ 8.5A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-WPAK
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
重量 -
原産国 -

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