HAT2287WP-EL-E

HAT2287WP-EL-E - Renesas Electronics America

Numero di parte
HAT2287WP-EL-E
fabbricante
Renesas Electronics America
Breve descrizione
MOSFET N-CH WPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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HAT2287WP-EL-E Descrizione dettagliata

Numero di parte HAT2287WP-EL-E
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94 mOhm @ 8.5A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-WPAK
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Peso -
Paese d'origine -

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