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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › HAT2131R-EL-E
HAT2131R-EL-E

HAT2131R-EL-E - Renesas Electronics America

品番
HAT2131R-EL-E
メーカー
Renesas Electronics America
簡単な説明
MOSFET N-CH 8SO
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
HAT2131R-EL-E PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4201 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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HAT2131R-EL-E 詳細な説明

品番 HAT2131R-EL-E
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 350V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 900mA (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id -
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 20nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 460pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 2.5W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 3 Ohm @ 450mA, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 -
原産国 -

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