HAT2131R-EL-E

HAT2131R-EL-E - Renesas Electronics America

Numéro d'article
HAT2131R-EL-E
Fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
MOSFET N-CH 8SO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
HAT2131R-EL-E Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4234 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour HAT2131R-EL-E

HAT2131R-EL-E Description détaillée

Numéro d'article HAT2131R-EL-E
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 350V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 450mA, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOP
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR HAT2131R-EL-E