| 品番 | QJD1210011 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 25 mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 10mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 500nC @ 20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10200pF @ 800V |
| 電力 - 最大 | 900W |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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QJD1210010 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | 詳細 |
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QJD1210011 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | 詳細 |
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QJD1210SA1 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | 詳細 |
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QJD1210SA2 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | 詳細 |
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QJD1210SB1 | Powerex Inc. | MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC | 詳細 |
