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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Arreglos › QJD1210011
QJD1210011

QJD1210011 - Powerex Inc.

Número de pieza
QJD1210011
Fabricante
Powerex Inc.
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
QJD1210011 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3723 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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QJD1210011 Descripción detallada

Número de pieza QJD1210011
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10200pF @ 800V
Potencia - Max 900W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso -
País de origen -

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