| 品番 | IGD515EI |
|---|---|
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| 駆動構成 | High-Side or Low-Side |
| チャネルタイプ | Single |
| ドライバ数 | 1 |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 電圧 - 供給 | 12 V ~ 16 V |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.9V, 3.8V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 15A, 15A |
| 入力方式 | - |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | - |
| 立ち上がり/立ち下がり時間（Typ） | 40ns, 40ns |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3 | 詳細 |
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IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 88W TO252-3 | 詳細 |
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IGD515EI | Power Integrations | IC SINGLE GATE DRIVER 15A | 詳細 |
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IGD515EI-34 | Power Integrations | GATE DRIVER CORE SCALE-1 3300V | 詳細 |
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IGD616 | Power Integrations | GATE DRIVER CORE SCALE-1 1700V | 詳細 |
