IGD515EI Description détaillée
| Numéro d'article |
IGD515EI |
| État de la pièce |
Not For New Designs |
| Configuration pilotée |
High-Side or Low-Side |
| Type de canal |
Single |
| Nombre de pilotes |
1 |
| Type de porte |
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tension - Alimentation |
12 V ~ 16 V |
| Tension logique - VIL, VIH |
0.9V, 3.8V |
| Courant - sortie de crête (source, évier) |
15A, 15A |
| Type d'entrée |
- |
| Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) |
- |
| Rise / Fall Time (Typ) |
40ns, 40ns |
| Température de fonctionnement |
-40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage |
- |
| Paquet / cas |
- |
| Package de périphérique fournisseur |
- |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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