NVMFS5830NLT3G

NVMFS5830NLT3G - ON Semiconductor

品番
NVMFS5830NLT3G
メーカー
ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
21377 pcs
参考価格
USD 1.24/pcs
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NVMFS5830NLT3G 詳細な説明

品番 NVMFS5830NLT3G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 29A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 113nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5880pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.3 mOhm @ 20A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
重量 -
原産国 -

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