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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › NVMFS4C01NWFT3G
NVMFS4C01NWFT3G

NVMFS4C01NWFT3G - ON Semiconductor

品番
NVMFS4C01NWFT3G
メーカー
ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
NVMFS4C01NWFT3G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
21789 pcs
参考価格
USD 1.1968/pcs
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NVMFS4C01NWFT3G 詳細な説明

品番 NVMFS4C01NWFT3G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 49A (Ta), 319A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 139nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 10144pF @ 15V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 0.9 mOhm @ 30A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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