NTF3055-100T1G-IRH1 - ON Semiconductor

品番	NTF3055-100T1G-IRH1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	110 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	22nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	455pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.3W (Ta)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-223 (TO-261)
パッケージ/ケース	TO-261-4, TO-261AA
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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