NTF3055-100T1G-IRH1 - ON Semiconductor

Artikelnummer	NTF3055-100T1G-IRH1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.3W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-223 (TO-261)
Paket / Fall	TO-261-4, TO-261AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
NTF3055-100	ONS	NTF3055-100 ONS SOT-22.. New Original Stocks	Einzelheiten
NTF3055-100T1	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223	Einzelheiten
NTF3055-100T1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223	Einzelheiten
NTF3055-100T1G-IRH1	ON Semiconductor	NFET SOT223 60V 3A 0.100R	Einzelheiten
NTF3055-100T3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223	Einzelheiten
NTF3055-100T3LF	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223	Einzelheiten
NTF3055-160T1	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 2A SOT223	Einzelheiten
NTF3055-160T3LF	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 2A SOT223	Einzelheiten
NTF3055L108T1	ONS	NTF3055L108T1 ONS SOT-22.. New Original Stocks	Einzelheiten
NTF3055L108T1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223	Einzelheiten