| 品番 | NSVIMD10AMT1G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| トランジスタタイプ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 500mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 13 kOhms, 130 Ohms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 500nA |
| 周波数 - 遷移 | - |
| 電力 - 最大 | 285mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-74R |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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NSVIMD10AMT1G | ON Semiconductor | SURF MT BIASED RES XSTR | 詳細 |
